Микрочип ултрабрзиот ласерски кристал е успешно применет во фотоелектрична област

Coupletech нуди микрочип Ласерски кристал за ласер на дискови. Термичките ефекти на леќите произведени во конвенционалните ласери со цврста состојба пумпани со полупроводници резултираат со деградиран квалитет на ласерскиот зрак и ја ограничуваат излезната моќност. Дебелината на ласерскиот медиум со микрочип е обично под 1mm. Во услови на униформно пумпање и ладење, средниот проток на топлина е приближно еднодимензионална спроводливост нормално на површината на нафората, минимизирајќи го ефектот на термичко нарушување предизвикано од ефектот на термичката леќа. Ласерот со микрочип може да емитува ласер со високо светло (TEM00 Gaussian режим) и монохроматично (единствен надолжен режим, ширина на линија помала од 5 kHz), што е многу важно во областа на комуникација, мерење, медицински третман, индустриска обработка, научно истражување и воена апликации. апликација.

Coupletech ги снабдува сите видови ласерски кристали вклучувајќи Nd:YVO4, Nd:YAG, композитен кристал со дифузија, Nd:YLF, Yb:YAG, Cr:YAG и нивниот микро-диск кристал. на пр. Ултра тенок кристал Nd:YAG+Cr:YAG обично се користи за ултрабрз ласер на дискови и е дизајниран за многу мал волумен за fs ласер и ps ласер. Сега се појавуваат се повеќе и повеќе нови видови ласерски кристали, Yb допингуваниот ласерски кристал има нов член, имено, истражувањата покажуваат дека нов концепт на „силен теренски споен Yb3+ јонски систем на квази-четири нивоа“ – со користење Силното поле спојување го зголемува нивото на енергија на Yb3+ јонско разделување, го намалува процентот на топла популација под ласерот и постигнува Yb3+ јонска квази ласерска работа со четири нивоа. Изберете Yb со најголема топлинска спроводливост (7,5Wm-1K-1) и единствениот негативен температурен коефициент на индекс на рефракција (dn/dT=-6,3 Ì 10-6K-1) во позитивните и негативните силикатни кристали: нов вид кристал Sc2SiO5 (Yb:SSO) кристал се одгледува со методот Czochralski. Излезот на кристалниот ласер и ултрабрзиот ласерски излез се имплементирани, микрочиповите Yb:SSO со дебелина од 150 μm беа користени за да се постигне квалитет од 75W (M2<1,1) и 280W долго светло, континуирано ласерско производство со висока моќност 298fs. Неодамна, во овој кристал е имплементиран ултрабрз ласерски излез заклучен со режим од 73 fs.